ООО «НТ технологии»

Диоды


Гибридный режим является промежуточным между доменным и режимом ОНОЗ. В отличие от режима ОНОЗ он возникает в том случае, когда в течение большей части периода колебаний существует достаточно большой пространственный заряд в виде не сформировавшегося домена...
Необходимо отметить, что результаты моделирования на ЭВМ показали возможность существования различных режимов в одной схеме с одним и тем же диодом, что объясняет часто наблюдающиеся экспериментально скачки частоты и мощности ГМПД при незначительных изменениях напряжения питания, температуры или перестройке схемы.
Так как режим ОНОЗ возникает при очень большой амплитуде колебаний в высокодобротной резонансной цепи, то установление этого режима представляет определенные технические трудности.
Режим с подавлением (гашением) домена возникает при очень больших амплитудах напряжения, так что в течение части периода колебаний напряжение на диоде становится меньше напряжения гашения, как. При UTm домен рассасывается, и далее ток меняется пропорционально напряжению.
Энергетические характеристики режима существенно зависит как от параметров внешней цепи, так и от параметров диода.
Особенностью режима является то, что частота колебаний и энергетические характеристики генератора определяются, главным образом, внешней цепью. При этом период колебаний Т должен быть больше времени пролета так, чтобы напряжение падало ниже порогового значения прежде, чем домен достигнет анода.
Пролетный режим (открытый Ганном) наблюдается при малых амплитудах напряжения Ui, когда диод работает на согласованную нагрузку RH=RQ. В этом случае имеет место полное формирование домена, пролет и рекомбинация его на аноде. Время пролета определяет частоту колебаний f.
Доменный режим МПД реализуется, как было указано и характеризуется пульсирующим распределением электрического поля, вызванным движением доменов или пространственного заряда. Режим с бегущим слоем пространственного заряда наиболее вероятен в области R, при этом формирование слоя пространственного заряда происходит только при строго однородном профиле легирования и отсутствии большого градиента температуры.
Моделирование на ЭВМ на основании N веденных соотношений привело к обнаружению нескольких режимов работы диодов, возникающих при определенном сочетании параметров диода и внешней цепи и отличающихся друг от друга формой тока и напряжения и энергетическими характеристиками.
Анализ зависимости сопротивления МПД от частоты показывает, что в широкой области частот возможны любые его значения: положительные, отрицательные и чисто мнимые, соответствующие реактивному сопротивлению.

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.