ООО «НТ технологии»

Диоды


Диодный промежуток МПД представляет собой однородно легированный кристалл многодолинного полупроводника с нанесенными на него с обоих сторон омическими контактами.
Максимально допустимый рабочий ток диода ограничен тепловым режимом диода, так как рабочая температура р-п перехода Тр-п увеличивается пропорционально току...
С учетом паразитных реактивностей патрона зависимость сопротивления диода от частоты имеет более сложный характер. Как видно из рисунка, активное сопротивление ЛЦ отрицательно в широком (более 10 ГГц) диапазоне частот.
Определяя связь между полным током и напряжением на области дрейфа UL путем интегрирования уравненения полного тока для этой области, в которой полагая и учитывая для гармонических колебаний и малых амплитуд, в случае выражение для полного сопротивления области дрейфа.
Основное содержание математической модели электронных процессов в лавинно-пролетном диоде сводится к тому, что при напряжении обратного смещения, равном пробивному U0, напряженность электрического поля превышает критическое значение Ekr.
Диодный промежуток ЛПД представляет собой многослойную полупроводниковую структуру со сложным профилем легирования. В зависимости от профиля легирования можно выделить несколько типов ЛПД...
В эквивалентной схемы полное сопротивление диода определяется простыми соотношениями. Из этого следует, что активное сопротивление диода отрицательно только в том случае, когда отрицательно сопротивление полупроводниковой структуры.
Полная эквивалентная схема диода, учитывающая электромагнитные поля, образующиеся при установке его в резонатор, может быть представлена в виде сложной электрической цепи с сосредоточенными L и С-элементами, которые зависят от типа и размеров резонатора и устройства крепления диода.
Генераторный диод СВЧ конструктивно представляет собой полупроводниковую структуру (кристалл), смонтированную на теплоотводе, помещенном в герметизированный металлокерамический корпус — патрон, образованный втулкой и электродами.
В диодах с междолинным переносом электронов (МПД) используется эффект уменьшения дрейфовой скорости носителей и ростом напряженности электрического поля в многодолинных полупроводниках.

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.