ООО «НТ технологии»

Измерительная техника


Наличие отрицательной дифференциальной проводимости при распределении поля приводит к появлению отрицательной проводимости диода при включении его во внешнюю цепь благодаря наличию падающего участка ВАХ.
Частота генерации в режиме ОНОЗ определяется только внешней колебательной системой и ограничена инерционностью «электронного газа», обусловленной конечным временем между столкновениями частиц в решетке кристалла, частотами fmax 300 ГГц.
Режим ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ) возникает в том случае, когда время формирования домена превышает период колебаний, тогда заряд успевает сформироваться, и электрическое поле остается однородным, что соответствует статической ВАХ диода.
Несмотря на широкий фронт исследований, проведенных к настоящему времени численным методом, всеобъемлющий характер полученных результатов и большие возможности этого метода, он оказывается! малопригодным в инженерной практике для проектирования генератора с заданными параметрами.
Фазовая и групповая скорости собственных волн равны дрейфовой скорости носителей, причем одна из них (первая) распространяется в направлении движения носителей в прямом направлении, а другая — в обратном.
Профиль легирования образца только в идеализированном случае представляется однородным, в реальных условиях всегда существует определенный градиент концентрации примеси вдоль диода и небольшой участок с пониженной концентрацией у катодного контакта.
Увеличение амплитуды колебаний приводит к монотонно уменьшению отрицательного сопротивления, как показано страницах нашего сайта, где по оси абсцисс отложена относительная амплитуду переменного тока X, протекающего через р-п переход, по оси ординат — относительное сопротивление р-п перехода Rp.
Отрицательное сопротивление ЛПД при заданных константных и технологических параметрах диода зависит, как это следует из зависимости от частоты и значения постоянного тока. Зависимость отрицательного сопротивления ЛПД от частоты имеет характерный для пролетных диодов вид определяется влиянием «пролетного» множителя, совпадающего с D при запаздывании j на угол F.
Активное сопротивление ЛПД отрицательно, как следует из N, при P2<1, что соответствует нашему условию. При р2 = 1 наступает резонанс в лавинном контуре, сопротивление его резко возрастает и вся энергия электрического поля переходит в энергию собственных колебаний электронно-дырочной плазмы слоя умножения.
Геометрические размеры полупроводниковой структуры настолько малы, что практически во всем СВЧ диапазоне она может быть представлена схемой на сосредоточенных элементах, входное сопротивление которой 2K определяется электронными процессами в диодном промежутке.

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.