Гистерезисный эффект, обусловленный разностью напряжения соответствующих формированию и гашению домена объясняется тем, что рассасывание домена может произойти только в том случае, когда напряженность поля внутри домена станет меньше пороговой, а так как поле в домене существенно выше, чем вне его.

Предположим, что в какой-то момент времени окрестности точки х0 диодного промежутка возникает произвольная флуктуация концентрации носителей заряда Ап, например из-за неоднородности материала в этой точке.

Если длительность импульсов тока и напряжения равна половине периода, то практические значения КПД оказываются меньше полученного значения из-за отклонения формы импульсов тока и напряжения от идеальной. Эти отклонения проявляются в конечной длительности фронта и среза импульсов, наличии осцилляции на фронтах и срезах, в значительном остаточном напряжении.

При механизмах инжекции, например за счет тока смещенного в прямом направлении р-п перехода, оптимальных фазовых соотношений реализовать не удается, в результате чего эти диоды обладают значительно худшими энергетическими характеристиками по сравнению с ЛПД.

Процесс ударной ионизации характеризуется коэффициентам ударной ионизации электронов и дырок V, равным числу N носителей, рождаемых одной заряженной частицей (электроном или дыркой соответственно) на единицу длины пути.

Сущность явления ударной ионизации заключается в том, что носитель, движущийся в электрическом поле диодного промежутка, при столкновении с нейтральным атомом кристалла отдает валентному электрону этого атома энергию, приобретенную им за время свободного пробега в электрическом поле, достаточную для перехода электронов в зону проводимости.

Cильнолегированные полупроводниковые материалы, которые используются для изготовления генераторных диодов СВЧ, время рекомбинацию много больше периода колебаний на рабочих частотах, что позволяет пренебречь рекомбинационным током и не учитывать влияния рекомбинации на процессы в диодном промежутке.

Положение скачка и распределение электрического поля Е(х) не зависит от времени, поскольку они создаются неподвижными зарядами ионизированных атомов примеси, в отличие от случая, когда скачок объемного заряда в какой-либо точке диодного промежутка обусловлен наличием в ней слоя пространственного заряда движущихся носителей.

Электрическое поле в диодном промежутке определяется суперпозицией внешнего поля, создаваемого внешним, приложенным к электродам напряжением, и внутренним полем, создаваемым электрическими зарядами, заключенными внутри промежутка.

Изменяя положение диода в коаксиальной линии или используя четвертьволновые трансформаторы со специально подобранными для каждого диода параметрами, нетрудно обеспечить равенство всех отрицательных сопротивлений, вносимых в общий резонатор, компенсируя тем самым разброс параметров диода.