ООО «НТ технологии»

Измерительная техника


Гистерезисный эффект, обусловленный разностью напряжения соответствующих формированию и гашению домена объясняется тем, что рассасывание домена может произойти только в том случае, когда напряженность поля внутри домена станет меньше пороговой, а так как поле в домене существенно выше, чем вне его.
Предположим, что в какой-то момент времени окрестности точки х0 диодного промежутка возникает произвольная флуктуация концентрации носителей заряда Ап, например из-за неоднородности материала в этой точке.
Если длительность импульсов тока и напряжения равна половине периода, то практические значения КПД оказываются меньше полученного значения из-за отклонения формы импульсов тока и напряжения от идеальной. Эти отклонения проявляются в конечной длительности фронта и среза импульсов, наличии осцилляции на фронтах и срезах, в значительном остаточном напряжении.
При механизмах инжекции, например за счет тока смещенного в прямом направлении р-п перехода, оптимальных фазовых соотношений реализовать не удается, в результате чего эти диоды обладают значительно худшими энергетическими характеристиками по сравнению с ЛПД.
Процесс ударной ионизации характеризуется коэффициентам ударной ионизации электронов и дырок V, равным числу N носителей, рождаемых одной заряженной частицей (электроном или дыркой соответственно) на единицу длины пути.
Сущность явления ударной ионизации заключается в том, что носитель, движущийся в электрическом поле диодного промежутка, при столкновении с нейтральным атомом кристалла отдает валентному электрону этого атома энергию, приобретенную им за время свободного пробега в электрическом поле, достаточную для перехода электронов в зону проводимости.
Cильнолегированные полупроводниковые материалы, которые используются для изготовления генераторных диодов СВЧ, время рекомбинацию много больше периода колебаний на рабочих частотах, что позволяет пренебречь рекомбинационным током и не учитывать влияния рекомбинации на процессы в диодном промежутке.
Положение скачка и распределение электрического поля Е(х) не зависит от времени, поскольку они создаются неподвижными зарядами ионизированных атомов примеси, в отличие от случая, когда скачок объемного заряда в какой-либо точке диодного промежутка обусловлен наличием в ней слоя пространственного заряда движущихся носителей.
Электрическое поле в диодном промежутке определяется суперпозицией внешнего поля, создаваемого внешним, приложенным к электродам напряжением, и внутренним полем, создаваемым электрическими зарядами, заключенными внутри промежутка.
Изменяя положение диода в коаксиальной линии или используя четвертьволновые трансформаторы со специально подобранными для каждого диода параметрами, нетрудно обеспечить равенство всех отрицательных сопротивлений, вносимых в общий резонатор, компенсируя тем самым разброс параметров диода.

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.