Измерительная техника
Гистерезисный эффект, обусловленный разностью напряжения соответствующих
формированию и гашению домена объясняется тем, что рассасывание домена
может произойти только в том случае, когда напряженность поля внутри
домена станет меньше пороговой, а так как поле в домене существенно
выше, чем вне его.
Предположим, что в какой-то момент времени окрестности точки х0 диодного
промежутка возникает произвольная флуктуация концентрации носителей
заряда Ап, например из-за неоднородности материала в этой точке.
Если длительность импульсов тока и напряжения равна половине периода, то
практические значения КПД оказываются меньше полученного значения из-за
отклонения формы импульсов тока и напряжения от идеальной. Эти
отклонения проявляются в конечной длительности фронта и среза импульсов,
наличии осцилляции на фронтах и срезах, в значительном остаточном
напряжении.
При механизмах инжекции, например за счет тока смещенного в прямом направлении р-п перехода, оптимальных фазовых соотношений реализовать не удается, в результате чего эти диоды обладают значительно худшими энергетическими характеристиками по сравнению с ЛПД.
Процесс ударной ионизации характеризуется коэффициентам ударной
ионизации электронов и дырок V, равным числу N носителей, рождаемых
одной заряженной частицей (электроном или дыркой соответственно) на
единицу длины пути.
Сущность явления ударной ионизации заключается в том, что носитель,
движущийся в электрическом поле диодного промежутка, при столкновении с
нейтральным атомом кристалла отдает валентному электрону этого атома
энергию, приобретенную им за время свободного пробега в электрическом
поле, достаточную для перехода электронов в зону проводимости.
Cильнолегированные полупроводниковые материалы, которые используются для
изготовления генераторных диодов СВЧ, время рекомбинацию много больше
периода колебаний на рабочих частотах, что позволяет пренебречь
рекомбинационным током и не учитывать влияния рекомбинации на процессы в
диодном промежутке.
Положение скачка и распределение электрического поля Е(х) не зависит от
времени, поскольку они создаются неподвижными зарядами ионизированных
атомов примеси, в отличие от случая, когда скачок объемного заряда в
какой-либо точке диодного промежутка обусловлен наличием в ней слоя
пространственного заряда движущихся носителей.
Электрическое поле в диодном промежутке определяется суперпозицией
внешнего поля, создаваемого внешним, приложенным к электродам
напряжением, и внутренним полем, создаваемым электрическими зарядами,
заключенными внутри промежутка.
Изменяя положение диода в коаксиальной линии или используя
четвертьволновые трансформаторы со специально подобранными для каждого
диода параметрами, нетрудно обеспечить равенство всех отрицательных
сопротивлений, вносимых в общий резонатор, компенсируя тем самым разброс
параметров диода.
1234567891011121314151617181920212223242526272829303132333435363738394041424344454647484950515253 | Архив новостей |
- RU
- EN
...