ООО «НТ технологии»

Проектирование усилительных модулей на полевых транзисторах


­В последнее время в усилительных каскадах радиопередатчиков помимо биполярных транзисторов все чаще используют и полевые транзисторы с изолированным затвором, называемые по типу структуры МДП или МОП транзисторами. По сравнению с биполярными МДП транзисторы обладают рядом преимуществ. До весьма высоких частот крутизну транзистора при включении его с общим истоком можно считать постоянной (не зависящей от частоты). Постоянная составляющая тока управляющего электрода (затвора) в МДП транзисторе отсутствует, что значительно облегчает построение цепей смещ­ения по постоянному току. Особенностью МДП транзисторов является также то, что напряжение приведения характеристик во входной системе координат близко к нулю (здесь и далее индексы «с», «з», «и» относятся к электродам транзистора — стоку, затвору, истоку). Поэтому при работе каскада в классе В (угол отсечки тока стока 8=90°) напряжение на затворе относительно истока должно быть нулевым. При работе в классах А и АВ на затвор необходимо подавать смещение одного знака с напряжением питания стока, что легко выполняется включением достаточно высокоомного резистивного делителя.

Как и биполярные, МДП транзисторы — приборы низковольтные, поэтому мощность, получаемую от транзисторов, можно увеличить только путем форсирования режима по току. Последнее приводит к тому, что мощные МДП транзисторы за счет влияния индуктивности вывода истока частично теряют свои положительные качества, поскольку появляется резистивная часть входного сопротивления и частотная зависимость крутизны. Упрощенная эквивалентная схема МДП транзистора: в эквивалентной схеме представлены междуэлектродные емкости, индуктивности выводов и источник тока, управляемый напряжением на емкости. Говорить в этом случае о надежности такой схемы, не приходится, она столь же надежена, как современная фасадная плитка. Преобразовав эквивалентную схему так, чтобы исключить элементы (за счет которых в транзисторе возникают внутренние обратные связи), но учесть в первом приближении их влияние, можно составить схему.

На основании эквивалентной схемы можно заключить, что выходная цепь усилителя на МДП транзисторе должна быть аналогична выходной цепи усилителя на биполярном транзисторе при включении его с ОЭ. Поэтому все рекомендации по построению входных и промежуточных маломощных каскадов справедливы и в этом случае. Принцип построения входной цепи усилителя зависит от относительного значения резистивной части входного сопротивления обусловленного индуктивностью истокового вывода. ­

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.