ООО «НТ технологии»

Расчет коллекторной цепи выходных каскадов транзисторных усилителей


­При построении мощных выходных каскадов усилителя возникают дополнительные особенности, связанные с необходимостью получения от каскада заданной (или возможно большей) мощности. Прежде всего становится неприемлемым для работы режим без отсечки коллекторного тока. Причем для транзисторов отказ от режима колебаний первого рода обусловлен желанием получить не только более высокий КПД устройства, но и большую мощность. Кроме того, для мощных высокочастотных транзисторов режим без отсечки коллекторного тока может быть вообще недопустимым из-за вторичного пробоя транзистора. Если ширина рабочей полосы частот усилителя больше октавы, то для снижения на выходе устройства уровня в­ысших гармоник целесообразно использовать двухтактную схему и работать с углом отсечки коллекторного тока, близким к 90°.

Прежде чем перейти к анализу выходной цепи двухтактного усилителя, рас-ч смотрим выбор схемы включения биполярного транзистора в мощном каскаде. Поскольку мощные высокочастотные транзисторы — приборы низковольтные, получить от каскада большую выходную мощность можно лишь при низкоомной нагрузке, когда схема включения транзистора с ОБ уже не имеет преимуществ в коэффициенте усиления перед схемой включения с ОЭ. Кроме того, резистивное по характеру и низкое по значению выходное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ делает ее предпочтительной для выходного каскада, учитывая возможность работы усилителя на несогласованную нагрузку. При работе транзисторов-с отсечкой коллекторного тока под следует понимать внутреннее сопротивление в активной области и мгновенное значение сопротивления нагрузки транзистора. При 0 = 90° отношение этих сопротивлений совпадает с отношением приведенного внутреннего сопротивления транзистора к сопротивлению нагрузки RK одного плеча двухтактной схемы по первой гармонике.

Зависимость при вещественных значениях коэффициента отражения, определяющих пределы изменения мощности в нагрузке. Из него видно, что при 1 изменение мощности в нагрузке минимально и не зависит от фазы коэффициента отражения. При включении транзистора с ОБ нормированное внутреннее сопротивление 0>1, а при включении с ОЭ может быть выполнено близким к 1 (некоторым- варьированием в процессе расчета со противлением нагрузки), что подтверждает сделанный ранее вывод о преимуществах схемы включения транзистора с ОЭ.

Дополнительная информация: достаточно сложно не имея никаких аналитических навыков проследить за обстановкой в той или иной отрасли. Однако ежегодно публикуются и распространяются документы, в которых подробно проведен анализ рынка мебели и иных областей деятельности. Упомянутых документов вполне хватит для самостоятельного изучения конкретного сегмента рынка, его слабых и сильных сторон, спроса и предложения. ­

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.