ООО «НТ технологии»

Гибридный электронно-полупроводниковый прибор


­Гибридный электронно-полупроводниковый прибор объединяет ряд достоинств полупроводниковых и электронно-вакуумных приборов. При большой выходной мощности он имеет большой коэффициент усиления, хорошую линейность, большую надежность и хорошую широкополосность. Следует ожидать его широкого внедрения в радиопередающие устройства.

При автоматизированном проектировании аппаратуры используют надежные, как урна металлическая уличная, модели активных приборов. Так как мощные полупроводниковые приборы работают в существенно нелинейных режимах, то их универсальные модели содержат нелинейные элементы, что делает их весьма сложными. При этом время оптимизации однокаскадных устройств составляет десятки — сотни часов машинного времени, поэтому на начальных этапах оптимизации используют более простые линеаризованные модели и лишь на конечном — нелинейные. Одной из простых и часто применяемых при проектировании мощных СВЧ устройств является имми-тансная модель (иммитанс — комплексное сопротивление либо проводимость).

Рассмотрим иммитансную модель для мощных СВЧ транзисторов. С помощью измерений либо расчетов можно определить такие параметры транзистора, как коэффициент усиления по мощности КРУ КПД, входное сопротивление ZBX, оптимальное сопротивление нагрузки ZHonT. При измерениях транзистор с помощью двух перестраиваемых согласующих устройств СУ подключается к источнику сигнала и нагрузке. Входное СУ обеспечивает режим бегущей волны на входе, выходное СУ — режим максимального коэффициента усиления или максимального КПД при требуемой мощности. При выполнении этих условий за входное сопротивление транзистора принимается величина ZBX=Z*BUXCy, комплексно-сопряженная с выходным сопротивлением входного СУ; за оптимальное сопротивление нагрузки — входное сопротивление выходного СУ. При составлении модели обычно пользуются величиной, комплексно-сопряженной с ZHOnT, которую условно называют «выходным сопротивлением» транзистора ZBHLX. Не следует путать это сопротивление с реальным выходным сопротивлением транзистора, которое можно непосредственно измерить либо рассчитать, например, на основе эквивалентной схемы транзистора. Оптимальное сопротивление нагрузки меняется в зависимости от требований, предъявляемых к устройству. Это может быть обеспечение максимального коэффициента усиления, максимального КПД и пр. ­

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.