ООО «НТ технологии»

Конечная длительности процесса рассасывания


­Из-за конечной длительности процесса рассасывания, а также влияния емкости и напряжения отсечки транзистора реальные значения углов отсечки отличаются от 90°, поэтому при работе двухтактных ключевых генераторов могут наблюдаться этапы, в течение которых транзисторы оказываются одновременно или насыщенными, или закрытыми, что вызывает появление экстратоков (сквозных токов) или перенапряжений, снижающих энергетические показатели и надежность ключевых генераторов. Поэтому в двухтактной схеме ключевого генератора с переключением напряжения выбирают 9=75...90°. При 9>90° в течение части периода одновременно оказываются открытыми оба транзистора и через них протекает значительный импульс сквозного тока, обусловливающий перегрузки по току, рост потребляемой мощности и резк­ое снижение КПД. В генераторах с переключением тока на коллекторах транзисторов в начале этапа отсечки возможны перенапряжения, обусловленные влиянием ЭДС самоиндукции блокировочных дросселей.

При работе на повышенных частотах (выше 10 МГц) предпочтение отдается схеме с переключением тока. Входные и выходные цепи двухтактных ключевых генераторов выполняют так же, как и в широкополосных генераторах. В предоконечном каскаде также целесообразно использовать двухтактную схему ключевого генератора, обеспечивающего симметричное возбуждение транзисторов оконечного каскада. При этом линеаризуется нагрузка на предшествующий каскад и снижаются перенапряжения в цепи базы выходного каскада.

Уровень высших гармоник можно существенно ослабить, используя узкополосные двухтактные схемы ключевого генератора. Для этого нужно к нагрузке широкополосного генератора подключить избирательную систему в виде, например, последовательного или параллельного LC-контура. Так, если последовательно с нагрузкой в схеме генератора подключить последовательный LC-контур, то ток в нагрузке будет иметь синусоидальную форму, а напряжение на коллекторе — форму меандра. При подключении параллельного контура к нагрузке в схеме, в напряжение на нем (и на коллекторе транзистора) принимает синусоидальную форму при импульсах коллекторного тока в виде меандра.

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.