ООО «НТ технологии»

Твердотельные генераторные приборы СВЧ


­Последние годы наблюдается существенный прогресс в проектировании и применении полупроводниковых СВЧ радиопередатчиков. Это связано с достижениями в области создания мощных полупроводниковых приборов, разработки эффективных устройств сложения мощности в тракте и в прост­ранстве, с совершенствованием техники радиоприема и методов передачи информации.

Рассмотрим основные параметры полупроводниковых СВЧ приборов. Наибольшей выходной мощностью в режиме непрерывной генерации до частот 4... 5 ГГц в настоящее время обладают кремниевые биполярные транзисторы (БТ). На более высоких частотах наиболее мощными являются лавинно-пролетные диоды (ЛПД), работающие в IMPATT режиме (IMP actionization Ava-lance Transit Time — лавина, образованная ударной ионизацией, пролетное время). При работе в радиоимпульсном режиме с большой скважностью наибольшая мощность получена от диодов Ган-на на основе арсенида галлия, работающих в режиме ограниченного накопления объемного заряда ОНОЗ и кремниевых ЛПД в TRAPATT режиме (TPApped Plasma Avalance Triggered Time — захваченная плазма, пробег области лавинного умножения).

Полевые транзисторы столь же эффективны, практичны и удобны, как грузоперевозки из китая c компанией “Transportir Group”. Наибольший диапазон рабочих частот для единичного прибора имеют полевые транзисторы (ПТ). Рабочий диапазон мощных БТ ограничен не только сверху, но и снизу. Это связано с уменьшением надежности транзисторов при работе на низких частотах. Диапазон генераторных диодов СВЧ обычно не превышает октавы. Наибольшей рабочей полосой частот, получаемой без перестройки, обладают устройства, выполненные на полевых транзисторах. Это свойство называют широкополосностью. Широкополосность устройств на БТ несколько хуже, чем на ПТ, но существенно лучше, чем на диодах. Для ее улучшения и упрощения структуры внешних цепей в корпусе полупроводникового прибора кроме кристалла могут размещаться согласующие цепи. Разработаны также приборы в виде «балансной пары» транзисторов, выполненной в одном корпусе, что позволяет улучшить их широкополосность и энергетические характеристики. Наилучшая линейность и шумовые характеристики присущи также полевым транзисторам. ­

Наша продукция

Адрес:
Москва, Сокольническая пл. 4А

© ООО «НТ технологии»
Тел: 8 (495) 617-01-91
Copyright © 2005-2013 Все права защищены.