Вследствие нелинейной зависимости дрейфовой скорости носителей и ширины запорного слоя от приложенного напряжения среднее значение угла пролета при больших амплитудах колебаний может существенно отклоняться от оптимального значения. Влияние нелинейных эффектов усиливается с ростом параметра E2.

Зависимость отрицательного сопротивления ЛПД от постоянного тока определяется «инжекционным» умножителем и показана была много раз на страницах нашего сайта.

Реактивное сопротивление полупроводниковой структуры ЛПД в рабочем диапазоне частот всегда имеет емкостной характер, тогда как реактивное сопротивление диода в патроне может иметь как емкостной, так и индуктивный характер.

Эквивалентная схема полупроводниковой структуры ЛПД представляется последовательным соединением двух участков: слоя умножения и области дрейфа, которые представляются соответственно параллельным колебательным контуром и последовательным соединением отрицательного сопротивления Rp-n и эквивалентной емкости C.

Сопротивление полупроводниковой структуры ЛПД определяется сопротивлением запорного слоя р-п перехода и сопротивлением потерь в базе и контактах диода существенно зависит от режима работы диода.

Распределение напряженности электрического поля, соответствующее такому распределению зарядов, определяется уравнением Пуассона, аналогично обратно смещенному р-п переходу. При этом почти все приложенное напряжение падает практически до области домена.

Из приборов, нашедших практическое применение, наиболее близким к оптимальному является ЛПД, для которого оптимальное значение f реализуется в результате использования процесса ударной ионизации и лавинного пробоя в тонком слое, примыкающем к одному из электродов диодного промежутка.

Энергетическая диаграмма фосфида индия в отличие от диаграммы арсенида галлия имеет меньшую ширину запрещенной зоны и более высокие минимумы боковых долин, в результате для соответствующей зависимости и характерны значительно более высокие напряженность порогового поля.

Эффективная масса определяет длину волны движущегося электрона Z и волновой вектор соответствующей электронной волны B, в результате чего энергия электрона в кристалле оказывается связанной с волновым вектором: N. Зависимость e{k} имеет вид квадратичной параболы только в простейшем случае m=const, который соответствует движению в свободном пространстве.

При дальнейшем росте напряженности энергия носителей начинает превышать энергию оптического фонона, и при столкновении такого носителя с решеткой происходит излучение оптического фонона.