Цифровая техника
Вследствие нелинейной зависимости дрейфовой скорости носителей и
ширины запорного слоя от приложенного напряжения среднее значение угла
пролета при больших амплитудах колебаний может существенно отклоняться
от оптимального значения. Влияние нелинейных эффектов усиливается с
ростом параметра E2.
Зависимость отрицательного сопротивления ЛПД от постоянного тока
определяется «инжекционным» умножителем и показана была много раз на
страницах нашего сайта.
Реактивное сопротивление полупроводниковой структуры ЛПД в рабочем
диапазоне частот всегда имеет емкостной характер, тогда как реактивное
сопротивление диода в патроне может иметь как емкостной, так и
индуктивный характер.
Эквивалентная схема полупроводниковой структуры ЛПД представляется
последовательным соединением двух участков: слоя умножения и области
дрейфа, которые представляются соответственно параллельным колебательным
контуром и последовательным соединением отрицательного сопротивления
Rp-n и эквивалентной емкости C.
Сопротивление полупроводниковой структуры ЛПД определяется
сопротивлением запорного слоя р-п перехода и сопротивлением потерь в
базе и контактах диода существенно зависит от режима работы диода.
Распределение напряженности электрического поля, соответствующее такому
распределению зарядов, определяется уравнением Пуассона, аналогично
обратно смещенному р-п переходу. При этом почти все приложенное
напряжение падает практически до области домена.
Из приборов, нашедших практическое применение, наиболее близким к
оптимальному является ЛПД, для которого оптимальное значение f
реализуется в результате использования процесса ударной ионизации и
лавинного пробоя в тонком слое,
примыкающем к одному из электродов диодного промежутка.
Энергетическая диаграмма фосфида индия в отличие от диаграммы арсенида
галлия имеет меньшую ширину запрещенной зоны и более высокие минимумы
боковых долин, в результате для соответствующей зависимости и характерны
значительно более высокие напряженность порогового поля.
Эффективная масса определяет длину волны движущегося электрона Z и
волновой вектор соответствующей электронной волны B, в результате чего
энергия электрона в кристалле оказывается связанной с волновым вектором:
N. Зависимость e{k} имеет вид квадратичной параболы только в простейшем
случае m=const, который соответствует движению в свободном
пространстве.
При дальнейшем росте напряженности энергия носителей начинает превышать энергию оптического фонона, и при столкновении такого носителя с решеткой происходит излучение оптического фонона.
12345678910111213141516171819202122232425262728293031323334353637 | Архив новостей |
- RU
- EN
...